(1)功率半导体可以分为功率分立器件、功率模块和功率IC
早期的功率半导体是以分立器件的形式出现的，被称为功率分立器件，率先发展的是功率二极管和三极管，随后晶闸管(Thyristor)快速发展，现在MOSFET和IGBT是主流的功率分立器件。功率模块是由两个或两个以上功率分立器件按一定电路连接并进行模块化封装，实现功率分立器件功能的模块。功率IC是将功率分立器件与其控制电路、外围接口电路及保护电路等功能集成在一体的集成电路，属于集成电路中的模拟IC。功率IC可进一步分为AC/DC、DC/DC、PMIC、驱动IC等，在电力电子设备中负责对电能的变换、分配、检测等。
(2)功率器件按器件结构可分为功率二极管、晶闭管、三极管、IGBT、MOSFET等
早期的二极管、晶闸管、三极管在结构上都由简单的PN结组成，开关速度慢，常用于低频领域。二极管具有单向导电性，用于整流、检波以及作为开关元件。晶闸管是一种能在高电压、大电流条件下工作的开关元件，被广泛应用于可控整理、交流调压、逆变器和变频器等电路中，是典型的以小电流控制大电流的电子元件。品体管是电子电路的核心元件，主要包括MOSFET和IGBT,具有高频率、低损耗特点。MOSFET开关频率高，更适用于高频中高压领域：IGBT耐压很高，更适用于高压中低频领域。
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