存储行业全球巨头,AI时代“存力”核心标的之一。美光创立于1978年,
总部位于美国,当前业务包括DRAM,NAND及NOR,并向下延伸提供各类模
组产品。经过多年外延并购和内生发展,公司逐步成长为全球存储市场的主要参
与者之一。据CFM闪存市场数据,2023年美光在全球DRAM及NAND市场
占有率分别为23.90%和10.80%。
公司不仅在传统存储市场拥有完整的产品线,AI时代,公司亦拥有多种新产品用
于云端数据中心和终端AI PC、AI手机中,是AI存力需求兴起的核心受益者。
美光针对云端应用提供HBM、高端RDIMM及CXL内存等产品,以满足其训练
与推理的需求,其中HBM3E已经成功应用于英伟达H200 Tensor Core GPU,
基于32Gb DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM也已经出货。
>传统存储:减产+HBM挤出限制供给,AI贡献新需求,涨价有望持续。存
储器具有大宗属性,存储行业具有周期性特征,目前全球范围内的供给收紧叠加
需求增长,存储行业已经步入新一轮上行周期。
供给端,三星、美光及海力士等主要存储原厂均在2023年采取了减产的措施,
同时约束资本支出,目前仍未见明显的扩产动作,传统存储供应增长比较有限。
从新技术对产能的影响来看,HBM生产相同容量所需晶圆量为DDR5的三倍,
目前HBM供不应求,存储原厂将更多资源倾斜到HBM上,进一步挤占传统存
储产品的产能。存储产能供给因此持续收紧。需求端,AI贡献了最大的边际增长,
云端训练及推理需要大量HBM、DDR5及SSD,未来端侧AI的发展也将带动
单机存储用量的提升。
根据CFM闪存数据,自2023年9月存储产品价格见底以来,截至2024年5月下旬,DRAM指数已涨超31.82%,NAND指数已涨超91.4%,但距离前高仍有较大空间。
>HBM:后发先至,市场份额有望加速提升。HBM是算力硬件突破内存墙瓶颈的突破性技术,该市场早期由海力士和三星引领,美光则后发先至完成赶超,率先发布HBM3E产品,并于FY24Q3实现约1亿美元收入。从产品性能来看,美光HBM3E能够提供高达1.2TB/s的带宽,引脚速度超过9.2Gb/s,较主要竞争对手的性能高出约10%,功耗节省约30%,优势凸显。根据公司后续产品规划,公司将在2025年发布36GB 12-High HBM3E,并于2026年推出36GB12-High HBM4。
截至FY24Q3季报披露,美光2024年和2025年的HBM产能均已售罄,预计FY2025实现数十亿美元营收,公司预计未来将在HBM市场取得与DRAM市场接近的市场份额。
投资建议:公司传统业务受益周期回暖,且兼具HBM、LPCAMM等新品带来的成长性,中短期HBM出货及存储涨价将带来的业绩释放。长期来看,AI将从云侧存储和端侧存储两方面引领公司更长维度的业绩增长,建议积极关注。
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