2022年7月，通过对《2020闪存市场全景白皮书》的修订，编纂了《2022闪存市场全景白皮书》中，一年后的2023年8月，我们需要编纂《2023闪存技术应用全景白皮书》,仅仅一年时间，技术、市场发展了哪些变化?为此，我们也征询了编委会专家的意见，一是鉴于英特尔宣布停止更新傲腾，白皮书中有关傲腾的部分需要去掉，应该说这是非常可惜的事情，其中有非常多复杂的原因，有市场的因素，也有厂商的因素，并非完全由技术水平因素决定，横亘在闪存、内存之间的性能差距，裂缝始终存在，因此，傲腾产品是一个积极的探索和尝试，卷
土重来，也未可知!
第二个需要关注的是PCle 6.0和CXL技术前景和应用，二者相辅相成，彼此呼应，这也是《2023闪存技术应用全景白皮书》主要更新的内容。
《2023闪存技术应用全景白皮书》在编纂的过程中得到了新华三、浪潮、华为、Hitachi Vantara、联想凌拓、宏杉科技、XSKY、同有、宝存、中存超为、川源等企业专家的鼎立支持(排名不分先后),在此表示由衷的感谢。
最早的3DNAND要追溯到2007年东芝的一次发布，而真正将3D NAND商业化应用的其实是三星在2013年的发布，从2013年起，3D NAND作为最具突破性的技术开始推向市场，如今200+已经成为了3D NAND层数堆叠的常态，没有200+的水平，都不好意思说自己是3D NAND,谈不上有什么竞争优势。
从2D到3D的变化，为闪存容量提升带来新变数，从2D平房到3D楼房的演进下，层的概念成为介质进化的新标准。也是从3D NAND开始，制程工艺的演进显得并不那么重要了。
从最初的32层开始，到64层大约经过了三四年的时间，2019年前后，96层NAND开始出现，2020年进入200+层时代，从128层开始，3D NAND告别了32整数倍的演进，开始出现162、176层的差别。
高层堆叠的NAND技术推动了容量发展和闪存普及的步伐，让闪存在更多场景得到应用，在一定程度上，是3D NAND的出现拉开了闪存普及的大幕。3D NAND颗粒层数不断推高，GB/$成本势必会不断降低，缩短闪存SSD和磁盘的差价，但从市场
的演进看，闪存SSD成本是在逐步降低，但是速度不如预期，究其原因，与三星、凯侠、美光等大厂对市场的把持有关，闪存颗粒并不是一个充分竞争的市场，受产能等很多因素的影响，大幅度降价未必符合厂商利益。从这个意义上，中国元素的崛起，有助于全球市场的发展。
3D NAND的堆叠技术方案有两大派系，一种是浮栅技术(Floating gate),另外一种是电荷撷取(Charge Trap)技术。如今Charge Trap技术已经成为市场的主流。
浮栅技术的上下单元之间是分离的，而电荷撷取技术上下层之间是连通的，两者都是几十层水平时，差异不大，当变为几百层之后，采用电荷撷取技术的NAND上下电荷之间会发生串扰，造成数据不可靠。而浮栅技术虽然工艺更复杂一些，但是在数据保留方面更可靠一些，浮栅技术在层数发展上更有前景。
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