价格端，存储器价格已跌破历史最低位置(当前DRAM价格距离最高点下跌超60%,部分料号现货价与合约价已经出现倒挂),价格潜在下跌空间较小。供给端，原厂库存开始减少，模组厂商库存逐渐见底，主动去库存效果明显。需求端，服务器新世代CPU的推出和Al需求增加，将提升DDR5、HBM等高性能产品及高密度模组的需求。我们认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好2023年二三季度存储板块迎来止跌。
存储器细分板块观点
根据IC Insights的数据，2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%,Flash闪存的市场份额约为43%,其中NAND闪存为41%,NOR闪存为2%,其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。
2024年NAND市场规模有望达684亿美元，随着NAND原厂陆续缩减资本开支，NAND产能正在逐渐收敛，库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在23年Q2或Q3见顶，NAND价格出现弹性，2024年NAND市场有望实现复苏。目前NAND行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC六家公司同台竞争的格局，2022Q3的CR3达65%,CR6接近95%,随着WDC与铠侠的合并谈判急速，我们预计未来行业集中度将进一步提
高。美光、三星和海力士都有望在23年将产能转进200层以上，Solidigm以及铠侠WDC将落后一世代的制程。3D
NAND解决了2D结构下“闪存缩放限制”的问题，大容量、高堆叠层数的3D NAND将是行业未来发展趋势。2023年全球DRAM市场规模有望达596亿，DRAM厂商产能增加幅度收敛，DRAM厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后，2022Q3DRAM市场CR3超过95%,三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM,随着国外大厂逐渐推出利基市场(三星21Q4停产DDR2,预计23年停产DDR3;海力士也计划停产DDR3),国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV和3D DRAM或成未来趋势，从三大厂商的工艺制程上看，美光在制程上领先，三星在EUN的使用上领先。
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